Технология Клиент-Сервер 2000'4

Home

Поиск

Издания

Контакты

k-press.ru

Продолжается подписка на наши издания! Вы не забыли подписаться?

IBM – назад в будущее

В четверг IBM и германский производитель микросхем памяти Infineon Technologies объявили о планах коммерческого выпуска микросхем магнитной памяти произвольного доступа (magnetic random-access memory, MRAM). Для хранения битов данных она использует не электрические заряды, а намагничивание. Помните ферромагнитные кольца старых ЭВМ, вытесненные более совершенными устройствами из-за ненадежности и медлительности? Похоже, грядет их реинкарнация.

В отличие от современных микросхем памяти DRAM и SDRAM, MRAM не требует для хранения информации постоянной подачи электроэнергии. В MRAM единицы и нули, составляющие цифровой сигнал, хранятся на магнитном материале, расположенном между двумя слоями металла.

Новая технология открывает огромные возможности: теперь не придется ждать минуту и больше, пока загрузится ПК или ноутбук. Благодаря MRAM можно включать компьютеры «мгновенно» — как телевизоры или радиоприемники. Применение MRAM во всех видах устройств — от компьютеров до сотовых телефонов и игровых консолей — позволит хранить больше информации, ускорит доступ и сэкономит энергию.

Хотя IBM и Infineon доказали работоспособность MRAM, теперь перед ними стоит не менее сложная задача спроектировать производственный процесс и освоить выпуск микросхем в достаточном количестве по приемлемой цене.

В 2003 году на заводах IBM будут выпущены опытные образцы, но массовое производство микросхем MRAM начнется не ранее чем в 2004 году. Потенциально MRAM сможет конкурировать с существующими микросхемами энергонезависимой флэш-памяти. Емкость первых микросхем составит 256 Мбайт.